GIMS?氣離濺射技術(shù) 當(dāng)前位置:主頁(yè) > 技術(shù)說(shuō)明 > GIMS?氣離濺射技術(shù)
GIMS：Gas Ion Source Enhanced Magnetron Sputter，氣體離子源增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，分為兩種：匯聚氣離濺射（Focus GIMS）和空分氣離濺射（Separate GIMS）。
離子源的作用：
1、等離子體清洗
2、離化反應(yīng)氣體
3、輔助沉積
4、抑制靶中毒
5、后離子氧化處理
匯聚氣離濺射技術(shù)
氣體離子源對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行離化和布?xì)猓陔x子源電源電場(chǎng)的作用下，大量氣體離子獲得動(dòng)能（溫度）飛向工件表面，產(chǎn)生轟擊作用，從而有效的增強(qiáng)了磁控濺射的反應(yīng)離子鍍膜效應(yīng)。在反應(yīng)鍍膜過(guò)程中，氣體離子轟擊工件表面，表面上不穩(wěn)固的離子被轟落，膜層結(jié)構(gòu)被“夯實(shí)”，更加致密和平滑。
該技術(shù)應(yīng)用在類金剛石（DLC）鍍膜中，取得了非常好的效果。
空分氣離濺射技術(shù)
在同一氣離濺射鍍膜系統(tǒng)上，將氣體離子源的布?xì)夥较蜣D(zhuǎn)離開(kāi)磁控濺射靶的鍍膜區(qū)域。實(shí)現(xiàn)了磁控濺射金屬鍍膜過(guò)程和氣體離子源離化轟擊反應(yīng)過(guò)程在“空間”上的分離。一個(gè)工件在通過(guò)磁控濺射對(duì)靶時(shí)涂覆金屬性膜層，再移動(dòng)到氣體離子源面前時(shí)進(jìn)行反應(yīng)氣體離子的轟擊反應(yīng)過(guò)程（如氮化），這就是所謂的空（間）分（離）氣離濺射反應(yīng)離子鍍。
對(duì)于控制濺射靶的毒化有非常好的效果，使反應(yīng)濺射離子鍍更加可控，鍍膜的窗口更寬。
空分氣離濺射工作狀態(tài)
空分氣離濺射工作狀態(tài)
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